為了實現(xiàn)與最快的Si和SiC開關類似的快速開關時間和電壓變化率（dV/dt），PEM開發(fā)了一種測試裝置，使用GaN半導體開關產(chǎn)生50A峰值電流，上升時間為12ns，見圖1。
CWTMini50HF 3/B/1/100/2探頭（靈敏度為10mV/A，（-3dB）50MHz）在存在40V/ns的緊密耦合電壓瞬態(tài)的情況下測量電流。參考裝置是接地電位下的直流至2GHz分流器。、
圖1。快速切換電路
圖2。顯示了在沒有來自電壓瞬態(tài)的明顯干擾的情況下的去偏斜（延遲補償）測量。該示波器的模擬帶寬為1 GHz。
圖2。用局部dV/dt 40V/ns測量12ns/50A電流瞬態(tài)