為了實現與最快的 Si 和 SiC 開關類似的快速開關時間和電壓變化率 (dV/dt)，PEM 開發了一種測試裝置，使用 GaN 半導體開關來生成具有上升時間的 50A 峰值電流 12ns，見圖 1。

CWTMini50HF 3/B/1/100/2 探頭（靈敏度 10mV/A，(-3dB) 50MHz）可測量存在 40V/ns 緊耦合電壓瞬變時的電流。 參考設備是一個接地電位的 DC 至 2GHz 分流器。

圖1. 快速開關電路

圖 2 顯示了去偏（延遲補償）測量，沒有明顯的電壓瞬變干擾。 該示波器的模擬帶寬為 1 GHz。

圖 2 使用本地 dV/dt 40V/ns 測量 12ns/50A 電流瞬變