為了實現與最快的 Si 和 SiC 開關類似的快速開關時間和電壓變化率 (dV/dt)，PEM 開發了一種測試裝置，使用 GaN 半導體開關產生 50A 峰值電流和上升時間 12ns，見圖 1。
CWTMini50HF 3/B/1/100/2 探頭（靈敏度 10mV/A，(-3dB) 50MHz）在存在 40V/ns 的緊密耦合電壓瞬變時測量電流。 參考設備是一個 DC 至 2GHz 的地電位分流器。
圖 1 快速開關電路
圖 2. 顯示了消除偏斜（延遲補償）的測量結果，沒有明顯的電壓瞬變干擾。 該示波器具有 1 GHz 的模擬帶
圖 2. 局部 dV/dt 為 40V/ns 的 12ns/50A 電流瞬態測量