問題 ：

如何在我的曲線追蹤器上測試 MOSFET 的漏源擊穿電壓？

回答 ：

漏源擊穿電壓 - V(br)DSS

這是什么：

漏源擊穿電壓是指定ID值流動時的VDS，VGS=0。由于它是通過夾斷通道的反向電流，ID 呈現膝狀上升，一旦發生擊穿就會迅速增加。

在曲線跟蹤器上，集電極電源驅動漏極，柵極與源極短路，因此 VGS = 0。

顯示內容：

顯示屏在水平軸上顯示 VDS，在垂直軸上顯示結果 ID。當在指定的 ID 處，VDS 大于或等于指定的最小值時，符合規范。

怎么做：

1.設置控件：

A：最大峰值電壓到高于指定最小值的最低設置

     VDS

            B：最大峰值功率瓦特到滿足 (ID x VDS) 的最低設置

            C: Horizontal Volts/Div 顯示第 5 位和第 10 位之間的VDS

    橫向劃分

            D：Vertical Current/Div 顯示第 5 和第 10 垂直之間的 ID

            E：集電極電源極性為 +Leakage（對于 N 溝道）或 -Leakage

                （對于 P 溝道）

            F：配置為（Base/Short，Emitter/Common）

            G：可變集電極供應至最小 %（全逆時針）

            H: 點光標開啟

2. 給 MOSFET 供電：

            A：適當放置左/右開關

            B：慢慢增加可變收集器供應百分比，直到達到指定的 ID

3. 與數據表規格進行比較：

            檢查指定 ID 處的 VDS 是否大于或等于指定的最小值