如何在曲線跟蹤器上測(cè)試 MOSFET 的通態(tài)漏極電流？

回答 ：

通態(tài)漏極電流 - ID(on)

這是什么：

導(dǎo)通狀態(tài)漏極電流是 ID，具有指定的 VGS，以將器件偏置到導(dǎo)通狀態(tài)。測(cè)量在器件的歐姆（即線性）區(qū)域進(jìn)行。

在曲線跟蹤器上，集電極電源驅(qū)動(dòng)漏極，步進(jìn)發(fā)生器驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O。

顯示屏顯示的內(nèi)容：

顯示屏在水平軸上顯示 VDS，在垂直軸上顯示生成的 ID。當(dāng)在指定的 VDS 處，ID 大于或等于指定的最小值時(shí)，符合規(guī)范。

怎么做：

1.設(shè)置控件：

            A:Max Peak Volts 至高于指定 VDS 的最低設(shè)置

            B: Max Peak Power Watts 到滿足的最低設(shè)置 (ID x VDS)

            C: I: N 通道的集電極電源極性為 (+DC) 或 P 通道的 (-DC) 

            D：Horizontal Volts/Div 顯示第 5 和第 10 水平格之間的VDS

            E：Vertical Current/Div 顯示第 5 和第 10 垂直格之間的 ID

            F：最小步數(shù)（零）

            G：步進(jìn)發(fā)生器到電壓

            H：施加正向偏置的步進(jìn)發(fā)生器極性（+ 用于 N 通道），（- 用于 P 通道）

            I：步進(jìn)/偏移幅度到指定 VGS 的大約 50%

            J：脈沖到長(zhǎng)      

            K：配置為（Base/Step Gen，Emitter/Common）

            L: 可變集電極供應(yīng)到最小 % (full ccw)

            M：點(diǎn)光標(biāo)開(kāi)啟

2. 給設(shè)備通電：

            A：適當(dāng)放置左/右開(kāi)關(guān)

            B：緩慢增加可變集電極電源，直到達(dá)到指定的 VDS

3. 與數(shù)據(jù)表規(guī)格比較：

            A：檢查 ID 是否等于或大于指定的最小值