如何在曲線跟蹤器上測試 MOSFET 的漏源擊穿電壓？

回答 ：

漏源擊穿電壓 - V(br)DSS

這是什么：

漏源擊穿電壓是指定 ID 值流過的 VDS，VGS=0。由于是通過夾斷通道的反向電流，ID 呈膝狀上升，一旦發(fā)生擊穿就會迅速增加。

在曲線跟蹤器上，集電極電源驅(qū)動漏極，柵極與源極短路，因此 VGS=0。

顯示屏顯示的內(nèi)容：

顯示屏在水平軸上顯示 VDS，在垂直軸上顯示生成的 ID。當(dāng)在指定 ID 處 VDS 大于或等于指定最小值時，符合規(guī)范。

怎么做：

1.設(shè)置控件：

A: Max Peak Volts 到指定最小值之上的最低設(shè)置

     VDS

            B: Max Peak Power Watts 到滿足的最低設(shè)置 (ID x VDS)

C: Horizo ntal             Volts/Div 顯示第 5 和第 10 之間的 VDS

    橫向劃分

            D: Vertical Current/Div 顯示第 5 和第 10 垂直之間的 ID

    師                 

            E: 集電極電源極性為 +Leakage（對于 N 通道）或 -Leakage

                （用于 P 通道）

            F：配置為（Base/Short，Emitter/Common）

            G: 可變集電極供應(yīng)到最小 % (full ccw)

            H：點光標開啟

2. 給 MOSFET 加電：

            A：適當(dāng)放置左/右開關(guān)

            B：緩慢增加可變收集器供應(yīng)百分比，直到達到指定的 ID

3. 與數(shù)據(jù)表規(guī)格比較：

            檢查在指定 ID 處，VDS 是否大于或等于指定最小值