問題 ：

如何在曲線跟蹤器上測試 MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻？

回答 ：

漏源導(dǎo)通電阻 - RDS(on)

什么是漏源導(dǎo)通電阻？

漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 是當(dāng)施加特定的柵源電壓 (VGS) 以將器件偏置到導(dǎo)通狀態(tài)時 MOSFET 的漏極和源極之間的電阻。隨著 VGS 的增加，導(dǎo)通電阻通常會降低。測量在器件的歐姆（即線性）區(qū)域進(jìn)行。一般來說，MOSFET 的導(dǎo)通電阻越低越好。

追蹤這種電阻的方法之一是使用曲線追蹤器。在曲線跟蹤器上，所謂的“集電極電源”驅(qū)動漏極，而“階躍發(fā)生器”驅(qū)動?xùn)艠O。有關(guān)如何使用曲線跟蹤器測試 MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻的分步說明，請參見下文。有關(guān)如何使用示波器或 SMU 測量 MOSFET 導(dǎo)通電阻的說明，請參閱我們的“什么是 MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻？“ 常問問題。

顯示屏顯示的內(nèi)容：

顯示屏在水平軸上顯示 VDS，在垂直軸上顯示生成的 ID。當(dāng)在指定的 VDS、VDS/ID 小于或等于指定的最大值時滿足規(guī)范。

如何在曲線跟蹤器上測試 MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻：

1. 在控制下，設(shè)置：

A:Max Peak Volts 至高于指定 V DS            的最低設(shè)置

            B：最大峰值功率瓦數(shù)到滿足 (I D x V DS )的最低設(shè)置

            C: 集電極電源極性為 (+DC) 用于 N 通道或 (-DC) 用于 P 通道 

            D：Horizontal Volts/Div 顯示第 5 和第 10 水平格之間的V DS

            E：Vertical Current/Div 顯示 第 5 和第 10 垂直格之間的I D

            F：最小步數(shù)（零）

            G：步進(jìn)發(fā)生器到電壓

            H：用于施加正向偏置的步進(jìn)發(fā)生器極性（+ 用于 N 通道），

                 （- 用于 P 通道）

            I：步進(jìn)/偏移幅度約為指定 V GS的 50%

            J：脈沖到長      

            K：配置為（Base/Step Gen，Emitter/Common）

            L: 可變集電極供應(yīng)到最小 % (full ccw)

            M：點(diǎn)光標(biāo)開啟

2. 給 MOSFET 加電：

            A：適當(dāng)放置左/右開關(guān)

            B：緩慢增加可變集電極電源，直到 達(dá)到指定的 V DS

3. 與數(shù)據(jù)表規(guī)格比較：

            A：檢查 V DS /I D是否小于或等于指定的最小值

泰克曲線追蹤器已停產(chǎn)。設(shè)計(jì)了更高效、更準(zhǔn)確的方法和解決方案，以在更緊湊的外形尺寸上支持曲線跟蹤功能。一種這樣的解決方案基于使用雙通道 SMU 或兩個單通道 SMU 和軟件來控制偏置電壓階躍生成和相對漏源電壓降。要了解更多信息，請參閱我們的“什么是 MOSFET 的漏源導(dǎo)通電阻？“ 常問問題。